收藏本站
IXKP 20N60C5M
1.2
0.6
80
T JV = 150°C
6V
6.5 V
I D
= 10 A
V DS > 2 · R DS(on) max · I D
V GS = 10 V
1
V DS =
5V
5.5 V
0.5
25 °C
0.8
7V
10 V
0.4
60
0.6
0.3
98 %
40
0.4
0.2
typ
T J = 150 °C
20
0.2
0.1
0
0
0
0
10
20
30
40
-60
-20
20
60
100
140
180
0
2
4
6
8
10
I D [A]
T j [°C]
V
GS
[V]
Fig. 4 Typ. drain-source on-state
resistance characteristics of IGBT
Fig. 5 Drain-source on-state resistance
Fig. 6 Typ. transfer characteristics
10
2
10
10
5
I D = 10 A pulsed
V GS = 0 V
25 °C, 98%
9
f = 1 MHz
8
10
4
10
1
T J = 150 °C
25 °C
150 °C, 98%
7
1 V
V DS = 20 120 V
40 0V
Ciss
6
5
10
3
10
0
4
3
2
1
10
10
2
1
Coss
Crss
10
-1
0
10
0
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
0
100
200
300
400
500
V
SD
[V]
Q
gate
[nC]
V
DS
[V]
Fig. 7 Forward characteristic
Fig. 8
Typ. gate charge
Fig. 9 Typ. capacitances
of reverse diode
500
I D = 6.6 A
700
I D = 0.25 mA
10
0
0.5
400
660
0.2
300
0.1
D = t p /T
200
620
10
-1
0.05
0.02
0.01
100
580
single pulse
0
540
10
-2
20
60
100
140
180
-60
-20
20
60
100
140
180
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
T j [°C]
Fig. 10 Avalanche energy
T j [°C]
Fig. 11 Drain-source breakdown voltage
t p [s]
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090209d
4-4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXKP24N60C5M MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
IXKR25N80C MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
IXKR40N60C MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
IXKR47N60C5 MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
IXTA10N60P MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
IXTA110N055T2 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
IXTA110N055T7 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7
IXTA110N055T MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
相关代理商/技术参数
IXKP24N60C5 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKP24N60C5M 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKP35N60C5 功能描述:MOSFET 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKR25N80C 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKR40N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package
IXKR40N60C 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKR47N60C5 功能描述:MOSFET 47 Amps 600V 0.045 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKT70N60C5 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube